Электрофизические свойства структур Кремний – Оксид ванадия Диплом

Объектом исследования являются тонкопленочные структуры на основе оксидов ванадия и эффекты переключения в них.

Цель работы: Получение тонких пленок оксида ванадия на кремниевых подложках и исследование эффектов электроформовки и переключения в структурах «металл–оксид ванадия–SiO2–Si».

Экспериментально получены образцы Si-SiO2-V2O5 жидкофазным (золь-гель) способом нанесения. Исследованы эффекты электроформовки и переключения в металл–оксид ванадия–SiO2–Si. В данной работе в качестве объекта исследования взята структура Si SiO2 VOx Au.

В данной работе был подробно изучен метод нанесения тонких пленок жидкофазным распылением. Были созданы образцы с тонкими пленками VOx на Si жидкофазным методом и исследованы эффекты переключения в них.

Полученные результаты сопротивления свидетельствуют о том, что содержание воды в пленке можно варьировать температурой отжига, тем самым изменяя общее сопротивление пленки.

Исследованная асимметрия ВАХ связана, очевидно, с наличием p-n перехода (р-Si – n-VO2), а переключение – с фазовым переходом металл-полупроводник в диоксиде ванадия.

Содержание

Введение 4

1. Литературный обзор 6

• 1.1 Физические свойства оксидов ванадия 6
• 1.2 Эффект электрического переключения 9
• 1.3 Методы получения плёнок 13

2. Методика эксперимента 22

• 2.1 Оборудование, используемое в исследовании 22
• 2.2 Получение структуры Si SiO2 VOx Au 28

3. Экспериментальные результаты 31

• 3.1 Вольтамперные характеристики 31
• 3.2 Температурные зависимости сопротивления образцов 32

Заключение 37

Список литературы 38

Приложение А 40

Приложение Б 46